Samsung представила новые модули памяти стандарта LPDDR5

Samsung завершила разработку и тестирование нового модуля памяти стандарта LPDDR5. Чип создан с использованием 10-нанометрового техпроцесса и имеет объем 8 Гб. LPDDR5 DRAM планируется использовать в производстве смартфонов с поддержкой мобильной связи 5G, бортовой электроники автомобилей, а также решений ИИ на основе мобильных платформ.

Улучшенная энергоэффективность

Одним из нововведений технологии LPDDR5 стало улучшенная энергоэффективность. По заявлениям компании, чип потребляет на 30 % меньше электроэнергии по сравнению с предыдущим поколением чипов памяти стандарта LPDDR4X. Количество банков памяти (подразделов ячейки DRAM) увеличено с 8 до 16, чтобы обеспечить высокую скорость при низком потреблении энергии. При этом в активном режиме модуль понижает рабочее напряжение для синхронизации с рабочей скоростью обработки приложений.

Также в новом чипе реализован усовершенствованный «режим глубокого сна», чтобы снизить уровень энергопотребления до половины уровня «режима ожидания» в модулях памяти LPDDR4X.

Повышенная скорость передачи данных

В новом чипе LPDDR5 повышена скорость передачи данных до 6400 Мбит/с, что в 1,5 раза больше по сравнению с последними чипами LPDDR4X. По заявлению Samsung, модуль позволяет передать объем в 51,2 ГБ данных (14 фильмов размером 3,7 ГБ каждый в качестве Full-HD) всего за 1 с.

Чип планируется запустить в массовое производство, как только будет одобрена спецификация LPDDR5.

Samsung Electronics является флагманом в разработке чипов оперативной памяти для мобильных устройств. Напомним, что в 2016 году модуль LPDDR4 в 2016 году стал самым быстрым типом оперативной памяти со сниженным энергопотреблением.